casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / IMD9AT108
Número de pieza del fabricante | IMD9AT108 |
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Número de parte futuro | FT-IMD9AT108 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IMD9AT108 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 300mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-74, SOT-457 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMD9AT108 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMD9AT108-FT |
XN0411400L
Panasonic Electronic Components
XN0411500L
Panasonic Electronic Components
XN0411600L
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XN0413000L
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XN0421000L
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Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Intel
XC5VTX150T-1FFG1156C
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