casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IMC1812RQR10M
Número de pieza del fabricante | IMC1812RQR10M |
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Número de parte futuro | FT-IMC1812RQR10M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1812 |
IMC1812RQR10M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Inductancia | 100nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 450mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 320 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 650MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 25.2MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1812 (4532 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1812 |
Tamaño / Dimensión | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1812RQR10M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMC1812RQR10M-FT |
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel