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Número de pieza del fabricante | IMC1210ER150K |
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Número de parte futuro | FT-IMC1210ER150K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210ER150K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 15µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 164mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 2.8 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 21MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 2.52MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1210 (3225 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1210 |
Tamaño / Dimensión | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210ER150K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMC1210ER150K-FT |
IMC1210EB22NM
Vishay Dale
IMC1210EB270J
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A1425A-PQ100I
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Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200CF672C8
Intel
XC7K410T-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFXP3C-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel
EP1S10F780I6
Intel