casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IMC1210EBR56M
Número de pieza del fabricante | IMC1210EBR56M |
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Número de parte futuro | FT-IMC1210EBR56M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210EBR56M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 560nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 450mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 550 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 180MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 25.2MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1210 (3225 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1210 |
Tamaño / Dimensión | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EBR56M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMC1210EBR56M-FT |
IMC1210EB180K
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IMC1210EB181J
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Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation