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Número de pieza del fabricante | IMC1210EB8R2K |
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Número de parte futuro | FT-IMC1210EB8R2K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210EB8R2K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 8.2µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 194mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 2 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 38MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1210 (3225 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1210 |
Tamaño / Dimensión | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EB8R2K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMC1210EB8R2K-FT |
IMC1210BNR47J
Vishay Dale
IMC1210BNR47K
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LFE2-6SE-5TN144C
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XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel