casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / IMB7AT108
Número de pieza del fabricante | IMB7AT108 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IMB7AT108 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IMB7AT108 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | - |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | - |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 300mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-457 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-457 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMB7AT108 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMB7AT108-FT |
RN2713JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1703JE(TE85L,F)
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RN1705JE(TE85L,F)
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RN2701JE(TE85L,F)
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RN2705JE(TE85L,F)
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RN2708JE(TE85L,F)
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RN2710JE(TE85L,F)
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XC2S200E-6PQ208I
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A3P600-FG256
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EPF6010AFC256-3
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EP4SGX230KF40C2N
Intel
EP4SE530F43C3NES
Intel
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7
Intel