casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IM04BH2R2J
Número de pieza del fabricante | IM04BH2R2J |
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Número de parte futuro | FT-IM04BH2R2J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IM |
IM04BH2R2J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Phenolic |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 435mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 950 mOhm Max |
Q @ Freq | 33 @ 7.9MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 135MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.9MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.155" Dia x 0.375" L (3.94mm x 9.53mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM04BH2R2J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IM04BH2R2J-FT |
IM02ST4R7H
Vishay Dale
IM02ST4R7J
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XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel