casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IM02ER3R9J
Número de pieza del fabricante | IM02ER3R9J |
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Número de parte futuro | FT-IM02ER3R9J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IM |
IM02ER3R9J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Iron |
Inductancia | 3.9µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 250mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 7.9MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 80MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.9MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02ER3R9J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IM02ER3R9J-FT |
IM02BHR22H
Vishay Dale
IM02BHR22J
Vishay Dale
IM02BHR22K
Vishay Dale
IM02BHR24J
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IM02BHR27G
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IM02BHR27J
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IM02BHR30J
Vishay Dale
IM02BHR33F
Vishay Dale
IM02BHR33G
Vishay Dale
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel