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Número de pieza del fabricante | IHSM7832ER562L |
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Número de parte futuro | FT-IHSM7832ER562L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHSM-7832 |
IHSM7832ER562L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 5.6mH |
Tolerancia | ±15% |
Valoración actual | 210mA |
Corriente - Saturación | 80mA |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 11.8 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.840" L x 0.320" W (21.34mm x 8.13mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.285" (7.24mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM7832ER562L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IHSM7832ER562L-FT |
74404052068
Wurth Electronics Inc.
74404052082
Wurth Electronics Inc.
74404052100
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74404052101
Wurth Electronics Inc.
744032003
Wurth Electronics Inc.
744032006
Wurth Electronics Inc.
744032101
Wurth Electronics Inc.
744032120
Wurth Electronics Inc.
744032220
Wurth Electronics Inc.
744032001
Wurth Electronics Inc.
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel