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Número de pieza del fabricante | IHSM7832ER2R2L |
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Número de parte futuro | FT-IHSM7832ER2R2L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHSM-7832 |
IHSM7832ER2R2L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±15% |
Valoración actual | 8.4A |
Corriente - Saturación | 3.6A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 14 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.840" L x 0.320" W (21.34mm x 8.13mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.285" (7.24mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM7832ER2R2L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IHSM7832ER2R2L-FT |
744040520047
Wurth Electronics Inc.
74404052010
Wurth Electronics Inc.
74404052012
Wurth Electronics Inc.
74404052022
Wurth Electronics Inc.
74404052039
Wurth Electronics Inc.
74404052068
Wurth Electronics Inc.
74404052082
Wurth Electronics Inc.
74404052100
Wurth Electronics Inc.
74404052101
Wurth Electronics Inc.
744032003
Wurth Electronics Inc.
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel