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Número de pieza del fabricante | IHSM7832ER181L |
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Número de parte futuro | FT-IHSM7832ER181L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHSM-7832 |
IHSM7832ER181L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 180µH |
Tolerancia | ±15% |
Valoración actual | 1.3A |
Corriente - Saturación | 480mA |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 399 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.840" L x 0.320" W (21.34mm x 8.13mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.285" (7.24mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM7832ER181L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IHSM7832ER181L-FT |
74404041010
Wurth Electronics Inc.
744040410047
Wurth Electronics Inc.
74404043220A
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74404043102A
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74404043221A
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74404032033
Wurth Electronics Inc.
74404032100
Wurth Electronics Inc.
74404052220
Wurth Electronics Inc.
74404031027A
Wurth Electronics Inc.
74404032015
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A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
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XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel