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Número de pieza del fabricante | IHSM7832ER121L |
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Número de parte futuro | FT-IHSM7832ER121L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHSM-7832 |
IHSM7832ER121L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 120µH |
Tolerancia | ±15% |
Valoración actual | 1.5A |
Corriente - Saturación | 610mA |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 305 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.840" L x 0.320" W (21.34mm x 8.13mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.285" (7.24mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM7832ER121L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IHSM7832ER121L-FT |
74404032100
Wurth Electronics Inc.
74404052220
Wurth Electronics Inc.
74404031027A
Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
74404032022
Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
EP2S60F484C3
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508C3N
Intel