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Número de pieza del fabricante | IHSM5832ER122L |
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Número de parte futuro | FT-IHSM5832ER122L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHSM-5832 |
IHSM5832ER122L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 1.2mH |
Tolerancia | ±15% |
Valoración actual | 320mA |
Corriente - Saturación | 190mA |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 5.51 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.640" L x 0.320" W (16.26mm x 8.13mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.285" (7.24mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM5832ER122L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IHSM5832ER122L-FT |
744032101
Wurth Electronics Inc.
744032120
Wurth Electronics Inc.
744032220
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744032001
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7440320015
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7440320018
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744032002
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7440320027
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7440320039
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744032004
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LCMXO1200C-4T100I
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XCV800-5FG676C
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M1A3P600-FG256I
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A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
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XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel