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Número de pieza del fabricante | IHSM5832ER122L |
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Número de parte futuro | FT-IHSM5832ER122L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHSM-5832 |
IHSM5832ER122L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 1.2mH |
Tolerancia | ±15% |
Valoración actual | 320mA |
Corriente - Saturación | 190mA |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 5.51 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.640" L x 0.320" W (16.26mm x 8.13mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.285" (7.24mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM5832ER122L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IHSM5832ER122L-FT |
744032101
Wurth Electronics Inc.
744032120
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744032220
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744032001
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744032004
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Xilinx Inc.
XC2VP7-6FG456C
Xilinx Inc.
EP2S60F484C3
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5SGXEBBR2H43C2N
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A42MX09-2PL84I
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508C3N
Intel