casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IHLP6767GZER8R2M11
Número de pieza del fabricante | IHLP6767GZER8R2M11 |
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Número de parte futuro | FT-IHLP6767GZER8R2M11 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHLP-6767GZ-11 |
IHLP6767GZER8R2M11 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 8.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 21A |
Corriente - Saturación | 18A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 8.1 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 10MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.675" L x 0.675" W (17.15mm x 17.15mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.276" (7.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHLP6767GZER8R2M11 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IHLP6767GZER8R2M11-FT |
ILSB1206ER4R7K
Vishay Dale
ILSB1206ER100K
Vishay Dale
ILSB1206ER1R0K
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ILSB1206ER220K
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
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EPF10K50VBC356-4
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EP3C40F324C8N
Intel