casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IHD1EB8R2L
Número de pieza del fabricante | IHD1EB8R2L |
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Número de parte futuro | FT-IHD1EB8R2L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHD |
IHD1EB8R2L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 8.2µH |
Tolerancia | ±15% |
Valoración actual | 3A |
Corriente - Saturación | 2.5A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 28 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.270" Dia x 0.700" L (6.85mm x 17.78mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHD1EB8R2L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IHD1EB8R2L-FT |
IHD3EB100L
Vishay Dale
IHD3EB101L
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5H3F35I3LN
Intel
XC7A50T-1CPG236C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2SG
Intel
EP2AGX95EF35I5ES
Intel