casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IHB6EB820K
Número de pieza del fabricante | IHB6EB820K |
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Número de parte futuro | FT-IHB6EB820K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB6EB820K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 82µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 19.4A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 10 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 130°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 2.000" Dia (50.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.500" (38.10mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB6EB820K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IHB6EB820K-FT |
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel