casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IHB5BV4R7M
Número de pieza del fabricante | IHB5BV4R7M |
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Número de parte futuro | FT-IHB5BV4R7M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB5BV4R7M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 4.7µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 29.5A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 130°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 1.600" Dia (40.64mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.450" (36.83mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB5BV4R7M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IHB5BV4R7M-FT |
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XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
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A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
Intel
5SGXMB6R2F43I3LN
Intel
EP4SE530H40C3N
Intel
LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP4CE55F29I7
Intel
EPF10K100EQC208-2X
Intel