casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IHB5BV3R9M
Número de pieza del fabricante | IHB5BV3R9M |
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Número de parte futuro | FT-IHB5BV3R9M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB5BV3R9M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 3.9µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 29.5A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 130°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 1.600" Dia (40.64mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.450" (36.83mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB5BV3R9M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IHB5BV3R9M-FT |
IHB3BV561K
Vishay Dale
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XC6SLX45-2FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
5SGXEA9K3H40I3N
Intel
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29I3
Intel