casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IHB4BV180K
Número de pieza del fabricante | IHB4BV180K |
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Número de parte futuro | FT-IHB4BV180K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB4BV180K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 18µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 16.9A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 8 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 130°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 1.600" Dia (40.64mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.030" (26.16mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB4BV180K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IHB4BV180K-FT |
IHB2EB121K
Vishay Dale
IHB2EB122K
Vishay Dale
IHB2EB150K
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IHB2EB1R0M
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IHB2EB1R2M
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel