casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IHB3EB8R2M
Número de pieza del fabricante | IHB3EB8R2M |
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Número de parte futuro | FT-IHB3EB8R2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB3EB8R2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 8.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 17.6A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 4 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 130°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB3EB8R2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IHB3EB8R2M-FT |
IHB2BV560K
Vishay Dale
IHB2BV561K
Vishay Dale
IHB2BV5R6M
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IHB2BV680K
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IHB2BV8R2M
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IHB2EB100K
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IHB2EB101K
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel