casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IHB3BV100K
Número de pieza del fabricante | IHB3BV100K |
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Número de parte futuro | FT-IHB3BV100K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB3BV100K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 10µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 14.4A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 6 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 130°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB3BV100K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IHB3BV100K-FT |
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XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel