casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / IFS100B12N3E4B31BOSA1
Número de pieza del fabricante | IFS100B12N3E4B31BOSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IFS100B12N3E4B31BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IFS100B12N3E4B31BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | Full Bridge |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 200A |
Potencia - max | 515W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 6.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IFS100B12N3E4B31BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IFS100B12N3E4B31BOSA1-FT |
DF600R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
DF900R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
DF900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
FD1400R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
FD650R17IE4BOSA2
Infineon Technologies
FD900R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
FD900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
FF1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
FF1000R17IE4DPB2BOSA1
Infineon Technologies
FF1000R17IE4PBOSA1
Infineon Technologies
XC6SLX75-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQG100I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
EP1S20F484C7N
Intel
5SGSED8K3F40C2L
Intel
5SGXMA7N2F45I3N
Intel
EP4SE530F43C2ES
Intel
LCMXO2-7000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I3L
Intel