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Infineon Technologies IDW10G65C5XKSA1
- Número de pieza de MFG
- IDW10G65C5XKSA1
- Cantidad disponible
- 46840 Piezas
- Precio de referencia
- USD 4.504
- Nuestro precio
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Infineon Technologies
- Breve descripción
- CoolSiC™ DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Diodos - Rectificadores - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- IDW10G65C5XKSA1.pdf
IDW10G65C5XKSA1 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | IDW10G65C5XKSA1 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-IDW10G65C5XKSA1 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | CoolSiC™ |
| IDW10G65C5XKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 650V |
| Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 10A |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 180µA @ 650V |
| Capacitancia a Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caja | TO-247-3 |
| Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 |
| Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IDW10G65C5XKSA1 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | IDW10G65C5XKSA1-FT |
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