casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IDT71V35761YSA200BQI
Número de pieza del fabricante | IDT71V35761YSA200BQI |
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Número de parte futuro | FT-IDT71V35761YSA200BQI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT71V35761YSA200BQI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous |
Tamaño de la memoria | 4.5Mb (128K x 36) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 3.1ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.135V ~ 3.465V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-CABGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT71V35761YSA200BQI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IDT71V35761YSA200BQI-FT |
IDT71V3557SA80BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA80BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA80BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA80BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA80BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel