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Número de pieza del fabricante | IDT71016S12YI |
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Número de parte futuro | FT-IDT71016S12YI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT71016S12YI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 1Mb (64K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 12ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT71016S12YI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IDT71016S12YI-FT |
71V416L15BEI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S10BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S10BE8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S10BEG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S10BEG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12BE8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12BEG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12BEG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel