casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IDT6116LA35TP
Número de pieza del fabricante | IDT6116LA35TP |
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Número de parte futuro | FT-IDT6116LA35TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT6116LA35TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-PDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT6116LA35TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IDT6116LA35TP-FT |
6116SA25SOG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA25SOG
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA25SOG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA15SOGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA35SOG
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA35SOG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
AT28BV16-25SC
Microchip Technology
AT28BV16-25SI
Microchip Technology
AT28BV16-30SC
Microchip Technology
AT28BV16-30SI
Microchip Technology
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel