casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IDT6116LA35TP
Número de pieza del fabricante | IDT6116LA35TP |
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Número de parte futuro | FT-IDT6116LA35TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT6116LA35TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-PDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT6116LA35TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IDT6116LA35TP-FT |
6116SA25SOG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA25SOG
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA25SOG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA15SOGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA35SOG
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA35SOG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
AT28BV16-25SC
Microchip Technology
AT28BV16-25SI
Microchip Technology
AT28BV16-30SC
Microchip Technology
AT28BV16-30SI
Microchip Technology
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel