casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / IDH10G65C5XKSA1
Número de pieza del fabricante | IDH10G65C5XKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IDH10G65C5XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
IDH10G65C5XKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 650V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 10A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 340µA @ 650V |
Capacitancia a Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-2-2 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDH10G65C5XKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IDH10G65C5XKSA1-FT |
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