casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / IDH04G65C6XKSA1
Número de pieza del fabricante | IDH04G65C6XKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IDH04G65C6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDH04G65C6XKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 650V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 12A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.35V @ 4A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 14µA @ 420V |
Capacitancia a Vr, F | 205pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-2 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDH04G65C6XKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IDH04G65C6XKSA1-FT |
DSI30-16AS-TUB
IXYS
DSEI36-06AS-TUB
IXYS
DSI30-12AS-TUB
IXYS
DHG30IM600PC
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DLA20IM800PC
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DSEI19-06AS
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DSI30-08AS
IXYS
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EP3CLS70F484I7
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Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
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