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Infineon Technologies IDC51D120T6MX1SA3
- Número de pieza de MFG
- IDC51D120T6MX1SA3
- Cantidad disponible
- 11150 Piezas
- Precio de referencia
- USD 6.08
- Nuestro precio
- Tenemos un gran descuento, contáctenos
- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Infineon Technologies
- Breve descripción
- - DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Diodos - Rectificadores - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- IDC51D120T6MX1SA3.pdf
IDC51D120T6MX1SA3 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | IDC51D120T6MX1SA3 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-IDC51D120T6MX1SA3 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| IDC51D120T6MX1SA3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
| Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 100A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.05V @ 100A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 18µA @ 1200V |
| Capacitancia a Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | Die |
| Paquete del dispositivo del proveedor | Sawn on foil |
| Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 175°C |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IDC51D120T6MX1SA3 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | IDC51D120T6MX1SA3-FT |
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