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Número de pieza del fabricante | IDC5020ER101M |
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Número de parte futuro | FT-IDC5020ER101M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IDC-5020 |
IDC5020ER101M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 100µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.3A |
Corriente - Saturación | 1.2A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 280 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.510" L x 0.370" W (12.95mm x 9.40mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.205" (5.21mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDC5020ER101M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IDC5020ER101M-FT |
8250-100K-RC
Bourns Inc.
8250-101K-RC
Bourns Inc.
8250-102K-RC
Bourns Inc.
8250-104K-RC
Bourns Inc.
8250-123K-RC
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8250-151K-RC
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8250-152K-RC
Bourns Inc.
8250-183K-RC
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8250-220K-RC
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8250-221K-RC
Bourns Inc.
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation