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Número de pieza del fabricante | IDC2512ER151M |
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Número de parte futuro | FT-IDC2512ER151M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IDC-2512 |
IDC2512ER151M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 150µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 250mA |
Corriente - Saturación | 270mA |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 2 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 2512 (6432 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.115" (2.92mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDC2512ER151M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IDC2512ER151M-FT |
5300-36-RC
Bourns Inc.
5300-37-TR-RC
Bourns Inc.
5300-41-RC
Bourns Inc.
5300-42-RC
Bourns Inc.
5300-43-RC
Bourns Inc.
5300-45-RC
Bourns Inc.
5300-47-RC
Bourns Inc.
5300-48-RC
Bourns Inc.
5300-49-RC
Bourns Inc.
7443640100B
Wurth Electronics Inc.
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel