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ON Semiconductor HUF76629D3ST-F085

Número de pieza de MFG
HUF76629D3ST-F085
Cantidad disponible
13780 Piezas
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USD 0
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante HUF76629D3ST-F085
Número de parte futuro FT-HUF76629D3ST-F085
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
HUF76629D3ST-F085 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 20A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1280pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HUF76629D3ST-F085 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto HUF76629D3ST-F085-FT

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