casa / productos / Sensores, Transductores / Transductores de corriente / HTB 200-P
Número de pieza del fabricante | HTB 200-P |
---|---|
Número de parte futuro | FT-HTB 200-P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HTB |
HTB 200-P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Para medir | AC/DC |
Tipo de sensor | Hall Effect, Open Loop |
Corriente - Sensing | 200A |
número de canales | 1 |
Salida | Ratiometric, Voltage |
Sensibilidad | - |
Frecuencia | DC ~ 50kHz |
Linealidad | ±1% |
Exactitud | ±1% |
Suministro de voltaje | ±12V ~ 15V |
Tiempo de respuesta | 3µs |
Corriente - Suministro (Máx.) | 15mA |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 80°C |
Polarización | Bidirectional |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | Module, Single Pass Through |
- | |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HTB 200-P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HTB 200-P-FT |
GHS 12-SME
LEM USA Inc.
GHS 16-SME
LEM USA Inc.
GHS 20-SME
LEM USA Inc.
DHR 100 C5
LEM USA Inc.
DHR 1000 C10
LEM USA Inc.
DHR 1000 C5
LEM USA Inc.
DHR 200 C10
LEM USA Inc.
DHR 200 C5
LEM USA Inc.
DHR 300 C240
LEM USA Inc.
DHR 500 C10
LEM USA Inc.
A54SX32-1TQG144M
Microsemi Corporation
XC4010E-1BG225C
Xilinx Inc.
A1020B-2PLG68C
Microsemi Corporation
A14V15A-VQ100C
Microsemi Corporation
EP1AGX35CF484C6
Intel
5SGSMD3E3H29I3L
Intel
5SGSED8N2F45I2N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation