casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / HSMS-286R-TR1G
Número de pieza del fabricante | HSMS-286R-TR1G |
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Número de parte futuro | FT-HSMS-286R-TR1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-286R-TR1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - 2 Pair Series Connection |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 4V |
Actual - max | - |
Capacitancia a Vr, F | 0.25pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-286R-TR1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSMS-286R-TR1G-FT |
DMV1500L
STMicroelectronics
DMV1500LF5
STMicroelectronics
DMV1500LFD
STMicroelectronics
HSMP-3816-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-3816-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-3816-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-3866-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-3866-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-3866-TR2G
Broadcom Limited
BAP70AM,115
NXP USA Inc.
A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
EP3SE110F1152I3N
Intel
XC2VP4-5FFG672C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19I7N
Intel
10AX090N3F45I2LG
Intel
EP2AGX45DF29I5N
Intel
EP2C5Q208C7
Intel