casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / HSMS-286L-TR2G
Número de pieza del fabricante | HSMS-286L-TR2G |
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Número de parte futuro | FT-HSMS-286L-TR2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-286L-TR2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - 3 Independent |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 4V |
Actual - max | - |
Capacitancia a Vr, F | 0.25pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-286L-TR2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSMS-286L-TR2G-FT |
DMV1500SDFD
STMicroelectronics
DMV1500MFD
STMicroelectronics
DMV1500HFD
STMicroelectronics
DMV1500HDFD
STMicroelectronics
DMV1500HDFD6
STMicroelectronics
DMV1500L
STMicroelectronics
DMV1500LF5
STMicroelectronics
DMV1500LFD
STMicroelectronics
HSMP-3816-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-3816-TR1G
Broadcom Limited
EP20K30ETC144-2N
Intel
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C8N
Intel
EP4SE360H29I4N
Intel
5SGXEA7H3F35C4N
Intel
LFXP2-8E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation