casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / HSMS-2829-TR2G
Número de pieza del fabricante | HSMS-2829-TR2G |
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Número de parte futuro | FT-HSMS-2829-TR2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-2829-TR2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - Cross Over |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 15V |
Actual - max | 1A |
Capacitancia a Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 12 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | TO-253-4, TO-253AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-143-4 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2829-TR2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSMS-2829-TR2G-FT |
BAT6302VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6702VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BA 892-02V E6127
Infineon Technologies
BA 892-02V E6327
Infineon Technologies
BA 892-02V E6433
Infineon Technologies
BA89202VH6327XTSA1
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BA89202VH6433XTMA1
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BAR 50-02V E6327
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BAR 50-02V E6768
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BAR 63-02V E6327
Infineon Technologies
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG484
Microsemi Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
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5SGXEA5H2F35C2L
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10AX090H1F34E1SG
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EP20K300EBC652-2X
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EP1C12F324C7N
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5SGSMD4H2F35C2L
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