casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / HSM580G/TR13
Número de pieza del fabricante | HSM580G/TR13 |
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Número de parte futuro | FT-HSM580G/TR13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSM580G/TR13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 80V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 800mV @ 5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 250µA @ 80V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-215AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSM580G/TR13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSM580G/TR13-FT |
1N5712UB
Microsemi Corporation
1N5712UBCC
Microsemi Corporation
1N6391
Microsemi Corporation
B0520LWF RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
B0530WF RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
B0540WF RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS19W RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS20W RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS21W RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
IDP1301GXUMA1
Infineon Technologies
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel