casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / HS2BA M2G
Número de pieza del fabricante | HS2BA M2G |
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Número de parte futuro | FT-HS2BA M2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS2BA M2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 1.5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS2BA M2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HS2BA M2G-FT |
SK26AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK29A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK29AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK310AHR3G
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SK315AHM2G
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SK320AHR3G
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SK32A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK32A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
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SK34A M2G
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A54SX16A-1TQ144I
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XC7A75T-3FGG484E
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M1A3P1000L-1FGG484I
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EP2C8F256C8N
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5SGXEBBR1H43C2L
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XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
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EP1S10F780C6
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EP4SGX110HF35I3
Intel