casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / HS1JL RTG
Número de pieza del fabricante | HS1JL RTG |
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Número de parte futuro | FT-HS1JL RTG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS1JL RTG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 75ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | Sub SMA |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1JL RTG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HS1JL RTG-FT |
ES1DLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHRVG
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ES1FL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL MHG
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ES1FL MQG
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ES1FL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL RFG
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APA450-PQ208I
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5SGXMA3E2H29I2LN
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5SGXEA4K3F35C4N
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XC5VLX30-3FF324C
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XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
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EP3SE110F780I3N
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HC20K600BC652
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