casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / HS1B M2G
Número de pieza del fabricante | HS1B M2G |
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Número de parte futuro | FT-HS1B M2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS1B M2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1B M2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HS1B M2G-FT |
S1MHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2MA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK210AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK215AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK22A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK23A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK23AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK24A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK24AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK26AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel