casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / HS1BL R3G
Número de pieza del fabricante | HS1BL R3G |
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Número de parte futuro | FT-HS1BL R3G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS1BL R3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 950mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | Sub SMA |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1BL R3G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HS1BL R3G-FT |
SS26LHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHRVG
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SS29L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L MHG
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SS29L MTG
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SS29L RFG
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EP20K30EFC144-2X
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XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
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LFEC15E-3FN256I
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LFE2M35SE-6FN484C
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LFE2-6SE-6FN256I
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EP2AGX65DF29C6
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EP20K160EQC240-1N
Intel