casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / HS1BL M2G
Número de pieza del fabricante | HS1BL M2G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-HS1BL M2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS1BL M2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 950mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | Sub SMA |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1BL M2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HS1BL M2G-FT |
ES1BL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel