casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / HP8S36TB
Número de pieza del fabricante | HP8S36TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-HP8S36TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HP8S36TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Característica FET | - |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 27A, 80A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 32A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6100pF @ 15V |
Potencia - max | 29W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-HSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HP8S36TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HP8S36TB-FT |
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