casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / HMLQ20160H-1R0MDR
Número de pieza del fabricante | HMLQ20160H-1R0MDR |
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Número de parte futuro | FT-HMLQ20160H-1R0MDR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HMLQ20160H |
HMLQ20160H-1R0MDR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Metal |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 2.7A |
Corriente - Saturación | 2.6A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 96 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.031" (0.80mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HMLQ20160H-1R0MDR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HMLQ20160H-1R0MDR-FT |
CMLE053T-100MS
Delta Electronics/Cyntec
CMLE053T-2R2MS
Delta Electronics/Cyntec
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CMLE061E-1R2MS
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel