casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / HM76-503R3JLFTR13
Número de pieza del fabricante | HM76-503R3JLFTR13 |
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Número de parte futuro | FT-HM76-503R3JLFTR13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HM76 |
HM76-503R3JLFTR13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 3.3µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 9.8A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 8 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.746" L x 0.600" W (18.95mm x 15.24mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.284" (7.21mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HM76-503R3JLFTR13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HM76-503R3JLFTR13-FT |
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5SGXEA5N3F40I4N
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XC5VLX85T-1FFG1136I
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XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156C
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LFE3-95EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB5H4F35I3N
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