casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / HM17-855120LF
Número de pieza del fabricante | HM17-855120LF |
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Número de parte futuro | FT-HM17-855120LF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HM17 |
HM17-855120LF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 12µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 2.4A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 80 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.307" Dia (7.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.217" (5.50mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HM17-855120LF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HM17-855120LF-FT |
HM100-251R5LFTR13
TT Electronics/BI Magnetics
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M1AFS600-FG484K
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XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
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EP20K100EQI240-2X
Intel