casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / HK21252N2S-T
Número de pieza del fabricante | HK21252N2S-T |
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Número de parte futuro | FT-HK21252N2S-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HK |
HK21252N2S-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 2.2nH |
Tolerancia | ±0.3nH |
Valoración actual | 300mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | 10 @ 100MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 4GHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.041" (1.05mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HK21252N2S-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HK21252N2S-T-FT |
LBM2016TR18JV
Taiyo Yuden
LBM2016TR22JV
Taiyo Yuden
LBM2016TR27J
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LBM2016TR27JV
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LBM2016TR33J
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LBM2016TR33JV
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LBM2016TR39JV
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LBM2016TR47J
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LBM2016TR47JV
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LBM2016TR56JV
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XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation