casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Single / HGT1S10N120BNS
Número de pieza del fabricante | HGT1S10N120BNS |
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Número de parte futuro | FT-HGT1S10N120BNS |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HGT1S10N120BNS Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | NPT |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 35A |
Corriente - Colector Pulsado (Icm) | 80A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
Potencia - max | 298W |
Energía de conmutación | 320µJ (on), 800µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga de la puerta | 100nC |
Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 23ns/165ns |
Condición de prueba | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HGT1S10N120BNS Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HGT1S10N120BNS-FT |
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