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ON Semiconductor HGT1S10N120BNST

Name: HGT1S10N120BNST
Brand: ON Semiconductor
SKU: HGT1S10N120BNST
Price: 1.442368 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (138 reviews)

Número de pieza de MFG: HGT1S10N120BNST

Cantidad disponible: 95280 Piezas

Precio de referencia: USD 1.442368

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - IGBTs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: HGT1S10N120BNST.pdf

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Número de pieza del fabricante	HGT1S10N120BNST
Número de parte futuro	FT-HGT1S10N120BNST
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
HGT1S10N120BNST Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo IGBT	NPT
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)	1200V
Corriente - Colector (Ic) (Max)	35A
Corriente - Colector Pulsado (Icm)	80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Potencia - max	298W
Energía de conmutación	320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo de entrada	Standard
Carga de la puerta	100nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C	23ns/165ns
Condición de prueba	960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inverso (trr)	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGT1S10N120BNST Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	HGT1S10N120BNST-FT

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