casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / HERAF1007G C0G
Número de pieza del fabricante | HERAF1007G C0G |
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Número de parte futuro | FT-HERAF1007G C0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HERAF1007G C0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 80ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 Full Pack |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HERAF1007G C0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HERAF1007G C0G-FT |
SF2003GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel